Επιστήμονες του Rice University και του Ινδικού Ινστιτούτου Επιστημών στη Μπανγκαλόρ ανακάλυψαν μέθοδο δημιουργίας επίπεδου γαλλίου (σε επίπεδο ατόμου), το οποίο εμφανίζεται πολλά υποσχόμενο ως προς νέες εφαρμογές στον χώρο των ηλεκτρονικών.
Αναλυτικότερα, ο επιστήμονας υλικών Πουλικέρλ Ατζαγιάν του Rice και συνεργάτες του και συνάδελφοί τους στην Ινδία δημιούργησαν το δισδιάστατο «γαλλινένιο» (gallenene), ένα λεπτό στρώμα αγώγιμου υλικού που είναι για το γάλλιο ό,τι είναι το γραφένιο για τον άνθρακα. Το νέο αυτό υλικό φαίνεται να έχει μια τάση να δημιουργεί δεσμούς με ημιαγωγούς όπως το πυρίτιο, και θα ήταν ιδιαίτερα χρήσιμο με ηλεκτρονικές συσκευές δύο διαστάσεων, σύμφωνα με τους ερευνητές.
Το γάλλιο είναι ένα μέταλλο με πολύ χαμηλό σημείο τήξης: Αντίθετα με το γραφένιο και πολλές άλλες δομές διαστάσεων, δεν είναι δυνατή ακόμα η «καλλιέργειά» του με παρεμφερείς μεθόδους. Επιπλέον έχει μια τάση να οξειδώνεται γρήγορα. Και ενώ πρώιμα στάδια γραφενίου απομακρύνονταν από τον γραφίτη με κολλητική ταινία, οι δεσμοί μεταξύ των στρωμάτων γαλλίου είναι πολύ ισχυροί για μια τόσο απλή προσέγγιση- οπότε και χρησιμοποιήθηκε θερμότητα αντί για δύναμη. Το αποτέλεσμα ήταν η επιτυχής «απολέπιση» γαλλινενίου σε υποστρώματα, επιβεβαινώνοντας ότι διαφορετικοί συνδυασμοί έχουν διαφορετικές ηλεκτρονικές ιδιότητες και υποδεικνύοντας ότι αυτές μπορούν να διαμορφωθούν ανάλογα για εφαρμογές.
Οι ιδιότητες του γαλλινενίου διερευνώνται. Όπως σημειώνει ο Ατζαγιάν, «τα σχεδόν δισδιάστατα μέταλλα είναι δύσκολο να εξαχθούν, καθώς πρόκειται κυρίως για υψηλής δύναμης δομές χωρίς στρώματα- και το γαλλινένιο είναι μια εξαίρεση που θα μπορούσε να “γεφυρώσει” την ανάγκη για μέταλλα στον δισδιάστατο κόσμο».
